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ALD技术在GaN功率器件上的优势发布日期：2023-06-07 14:31:42
ALD技术在GaN功率器件上的优势 氮化镓（GaN） 是由氮和镓组成的一种半导体材料，因为其禁带宽度大于2.2eV，又被称为宽禁带半导体材料。宽禁带半导体材料有着更高得多的临界雪崩击穿场强，较高的热导率。基于宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件高得多的耐受高电压的能力，低得多的通态电阻，更好的导热性能和热稳定性，更强的耐受高温和射线辐射的能力。它是微波功率晶体管的优良材料，也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料。氮化镓延片可分为同质外延片与异质外延片。在氮化镓单晶衬
季华实验室磁控溅射系统顺利验收发布日期：2023-04-12 14:33:45
季华实验室磁控溅射系统顺利验收近日，NANO-MASTER工程师至季华实验室，顺利安装验收NSC-3500型磁控溅射系统！磁控溅射系统主要用于半导体应用，同时也可以用于各种需要进行微纳工艺溅射镀膜的情形。可用于金属材料（金、银、铜、镍、铬等）的直流溅射、直流共溅射，绝缘材料（如陶瓷等）的射频溅射，以及反应溅射能力。基片可支持硅片，氧化硅片，玻璃片，以及对温度敏感的有机柔性基片等。设备优势01镀膜均匀性对于最关键的镀膜的均匀性方面，对于6”硅片的金属材料镀膜，NANO-MASTER可以达到优于3%的镀膜均匀度，而一些设备只能稳定在5%甚至更高。02设备制造工艺在配备相似等级的分子泵及机械泵的情况
等离子去胶机（Plasma Cleaner）发布日期：2023-03-14 12:18:54
等离子去胶机（Plasma Cleaner） 为何要去除光刻胶？在现代半导体生产过程中，会大量使用光刻胶来将电路板图图形通过掩模版和光刻胶的感光与显影，转移到晶圆光刻胶上，从而在晶圆表面形成特定的光刻胶图形，然后在光刻胶的保护下，对下层薄膜或晶圆基底完成进行图形刻蚀或离子注入，***再将原有的光刻胶***去除。去胶是光刻工艺中的***一步。在刻蚀/离子注入等图形化工艺完成后，晶圆表面剩余光刻胶已完成图形转移和保护层的功能，通过去胶工艺进行完全清除。光刻胶去除是微加工工艺过程中非常重要的环节，光刻胶是否***去除干净、对样片是否有造成损伤，都会直接影响后续集成电路芯片制造工艺效果。&n
MOCVD金属有机化合物化学气相沉积发布日期：2023-03-09 13:42:08
MOCVD金属有机化合物化学气相沉积一、MOCVD简述：MOCVD全称是Metal-Organic Chemical Vapour Deposition（金属有机化合物化学气相沉积设备），是在气相外延（VPE）的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术，是利用金属有机化合物作为源物质的一种化学气相淀积(CVD)工艺。利用MOCVD技术，许多纳米层可以以极高的精度沉积，每一层都具有可控的厚度，以形成具有特定光学和电学特性的材料。MOCVD是用于LED芯片和功率器件制造的关键工艺技术，用于在蓝宝石（Al2O3）衬底上外延生长，制作外延片。MOCVD（金属有机化合物化学气相沉积）是用于在半导体晶圆上
电子束蒸发镀膜发布日期：2023-03-02 15:43:32
电子束蒸发镀膜一、电子束蒸发镀膜简述：电子束蒸发镀膜（Electron Beam Evaporation）是物***相沉积的一种，与传统蒸镀方式不同，电子束蒸镀利用电磁场的配合可以精准地实现利用高能电子轰击坩埚内靶材，使之融化进而沉积在基片上，电子束蒸镀可以镀出高纯度高精度的薄膜。在高真空下，电子枪灯丝加热后发射热电子，被加速阳极加速，获得很大的动能轰击到的蒸发材料上，把动能转化成热使蒸发材料加热气化，而实现电子束蒸发镀膜。电子束蒸发源由发射电子的热阴极、电子加速极和作为阳极的镀膜材料组成。电子束蒸发源的能量可高度集中，使镀膜材料局部达到高温而蒸发。通过调节电子束的功率，可以方便的控制镀膜材料
真空蒸发镀膜技术原理发布日期：2023-02-15 15:22:34
                   真空蒸发镀膜技术原理 一、蒸发镀膜简述：真空蒸发镀膜（简称真空蒸镀）是指在真空室中，加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到固体（称为衬底或基片）表面，凝结形成固态薄膜的方法。由于真空蒸发法或真空蒸镀法主要物理过程是通过加热蒸发材料而产生，所以又称热蒸发法或者热蒸镀，所配套的设备称之为热蒸发真空镀膜机。这种方法zui早由M.法拉第于1857年提出，现代已成为常用镀膜技术之一。 尽管后来发
PECVD原理及应用发布日期：2023-01-06 12:04:17
PECVD原理及应用 PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vaper Deposition）是等离子增强化学气相淀积，该技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上（即样品放置的托盘）产生辉光放电，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，最终在样品表面形成固态薄膜。所谓等离子体，是指气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部分外层电子脱离原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合组成的一种形态，这种形态就称为等离子态。PECVD的工艺原理：在反应过程中，反应气体从进气口进入炉腔，
一文读懂ICP刻蚀技术发布日期：2022-12-13 18:11:06
ICP刻蚀技术电感耦合等离子体刻蚀（ICP，Inductively Couple Plasma）刻蚀工作原理是：用高频火花引燃时，部分Ar工作气体被电离，产生的电子和氩离子在高频电磁场中被加速，它们与中性原子碰撞，使更多的工作气体电离，形成等离子体气体。导电的等离子体气体在磁场作用下感生出的强大的感生电流产生大量的热能又将等离子体加热，使其温度达到1×10^4K，形成ICP放电。电感耦合等离子体刻蚀是物理过程和化学过程共同作用的结果，在真空低气压下，ICP射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例混合的气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极RF射频作用下，这些等离子对基片表面
RIE反应离子刻蚀技术发布日期：2022-12-06 14:31:19
RIE反应离子刻蚀概述：RIE反应离子腐蚀技术是一种各向异性很强、选择性高的干法腐蚀技术。它是在真空系统中利用分子气体等离子来进行刻蚀的，利用了离子诱导化学反应来实现各向异性刻蚀，即是利用离子能量来使被刻蚀层的表面形成容易刻蚀的损伤层和促进化学反应，同时离子还可清除表面生成物以露出清洁的刻蚀表面的作用。主要用于Si、SiO2、SiNx、半导体材料、聚合物、金属的刻蚀以及光刻胶的去除等，广泛应用于物理，生物，化学，材料，电子等领域。 工作原理：通常情况下，反应离子刻蚀机的整个真空壁接地, 作为阳极, 阴极是功率电极, 阴极侧面的接地屏蔽罩可防止功率电极受到溅射。要腐蚀的基片放在功率电极
兆声清洗技术原理、优势及应用发布日期：2022-11-24 15:08:47
1 兆声清洗技术背景Schwartzman等人，1993在SC1、SC2清洗时使用了兆频超声技术，获得***的清洗效果，使得该方法在清洗工艺中被广泛采用，也引发了对超声波增强清洗效果的规律与机理的研究。1995年Busnaina的研究表明，兆频超声波去除粒子的能力与溶液的组成、粒子的大小、超声波的功率及处理时间有关。1997年Olim发现兆频超声去除粒子的效率与粒子直径的立方成正比，并由此推断兆频超声无法去除0.1μm以下的粒子。但是，兆声波清洗抛光片可去掉晶片表面上＜0.2μm的粒子，起到超声波起不到的作用。这种方法能同时起到机械擦片和化学清洗两种方法的作用。兆声波清洗方法已成为抛光片清洗的
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