| 是否进口：是 | 原产国/地区：芬兰 | 加工定制：是 |
| 品牌：Beneq | 电镀位置：ALD | 镀种：真空镀膜 |
Beneq TFS 200 是一款适用于科学研究和企业研发的最灵活的 ALD 平台。 Beneq TFS 200 是为多用户研究环境中将可能发生的交叉污染降至***而特别设计的。各种配置选项和升级意味着 Beneq TFS 200 将与您一起成长，以满足高标准的研发需求。
Beneq TFS 200 不仅可以在晶圆，平面物体上镀膜，还适用于粉末，颗粒，多孔的基底材料，或是有高深径比的3D物体内沉积高保形薄膜。
直接和远程等离子体沉积 (PEALD) 可作为 Beneq TFS 200 的标准选项。等离子体是电容性耦合(CCP)，这是当今的工业标准。等离子体选件可为直径200毫米的基板（面朝上或面朝下）提供直接和远程等离子体增强沉积 (PEALD) 。
主要特点：
循环周期小于2秒。在特定的条件下可以小于1秒。
高深径比(HAR)选项适用于通孔和多孔的基底材料。
可快速加热和冷却的冷壁真空反应腔。
安装在真空反应腔的辅助接口可实现等离子体和在线诊断等。
加载锁可用于快速更换基底材料并与其他设备集成。
主要技术参数：
· 可支持8inch的单片晶圆；
· 基底材料温度：25-500℃
· 适用镀膜种类：Al2O3、HfO2、ZrO2、HZO等高k材料、阻变材料及原位电极材料的制备
· 生长方式：热沉积/等离子体生长
· 生长精度：0.1nm
