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ALD原子层沉积设备 Picosun R-200系列ALD原子层沉积体统
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ALD原子层沉积设备 Picosun R-200系列ALD原子层沉积体统

PicosunR-200系列原子层沉积体统是一款多种能的原子层沉积平台,是用于研发的理想选择,适用于IC器件、MEMS器件、显示器、led、激光、3D物体如镜片、光学、珠宝、硬币、医疗植入物等数十种应用的研发。

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是否进口:是原产国/地区:芬兰加工定制:是
品牌:Picosun电镀位置:ALD镀种:真空镀膜

ALD原子层沉积设备 Picosun R-200系列ALD原子层沉积体统详细介绍


Picosun R-200系列原子层沉积体统是一款多种能的原子层沉积平台,是用于研发的理想选择,适用于IC器件、MEMS器件、显示器、led、激光、3D对象,例如透镜、光学器件、珠宝、硬币、医疗植入物等数十种应用的研发。

PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术,并在各种各样的衬底上都表现***的均匀性,包括zui具挑战性的通孔的、***深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更***的,易更换的前驱源系统,能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度zui小的薄膜层。




主要技术参数:


衬底尺寸和类型

50 – 200 mm /单片

可沉积直径150 mm基片,竖直放置,10-25片/批次(根据工艺)
156 mm x 156 mm 太阳能硅片
3D 复杂表面衬底(使用Showerhead喷洒淋浴模式效果更佳)
粉末与颗粒(配备扩散增强器)
多孔,通孔,高深宽比(HAR)样品

工艺温度

50 – 500 °C, 可选更高温度(真空腔体外壁不用任何冷却方式即可保持温度低于60 °C)

基片传送选件

气动升降(手动装载)

预真空室安装磁力操作机械手(Load lock)

前驱体

液态、固态、气态、臭氧源

4根独立源管线, 多加载6个前驱体源
对蒸汽压低的前驱体(1mbar~10mbar),用氮气等载气导入前驱体瓶内引出

重量

350kg

尺寸( W x H x D))

取决于选件

小146 cm x 146 cm x 84 cm
189 cm x 206 cm x 111 cm

选件

PICOFLOW?扩散增强器,集成椭偏仪,QCM,RGA,N2发生器,尾气处理器,定制设计,手套箱集

成(用于惰性气体下装载)。

验收标准

标准设备验收标准为 Al2O3 工艺


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