| 产品特性：英国进口 | 加工定制：是 | 品牌：Oxford |
| 型号：PlasmaPro 100 | 用途：反应离子刻蚀 |
PlasmaPro 100 RIE
PlasmaPro 100 RIE模式可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺。
兼容200mm以下所有尺寸的晶圆
快速更换不同尺寸晶圆
购置成本低且易于维护
***均匀性，高产量和高工艺精度
实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺
电极的适用温度范围宽，-150°C至400°C
应用：
III-V族材料刻蚀工艺
固体激光器 InP刻蚀
VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
射频器件低损伤 GaN刻蚀
类金刚石 （DLC） 沉积
二氧化硅和石英刻蚀
用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆
特点：
通过均匀的高导通路径连接的腔室，将反应粒子输送到衬底
在维持低气压的同时，允许使用较高的气体流量
电极的温度范围宽（-150°C至+ 400°C）
可通过液氮，液体循环制冷机制冷或电阻丝加热 —— 可选的吹排及液体更换单元可自动进行模式切换
循环制冷机单元控制电极温度
***衬底温度控制能力
高抽气能力 —— 提供了更宽的工艺气压窗口
晶圆压盘与背氦制冷
***更好的晶片温度控制
